NVTFS5826NLTWG MOSFET Single

Pd-功率耗散: 22 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - zui小值: 8 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
系列: NVTFS5826NL
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 29.500 mg
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDFN-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 22 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - zui小值: 8 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
系列: NVTFS5826NL
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 29.500 mg
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDFN-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 22 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - zui小值: 8 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
系列: NVTFS5826NL
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 29.500 mg
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WDFN-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 22 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel

封装: Reel
封装: Cut Tape
封
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 29.500 mg
NVTFS5826NLTWG

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NVTFS5826NLTWG

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