FGD3040G2-F085IGBT 晶体管

FGD3040G2-F085

FGD3040G2-F085

FGD3040G2-F085

FGD3040G2-F085

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极zui大电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 23.2 A
Pd-功率耗散: 150 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 125 C
系列: FGD3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
零件号别名: FGD3040G2_F085
单位重量: 260.370 mg
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极zui大电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 23.2 A
Pd-功率耗散: 150 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 125 C
系列: FGD3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
零件号别名: FGD3040G2_F085
单位重量: 260.370 mg
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极zui大电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 23.2 A
Pd-功率耗散: 150 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 125 C
系列: FGD3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
零件号别名: FGD3040G2_F085
单位重量: 260.370 mg
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极zui大电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 23.2 A
Pd-功率耗散: 150 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 125 C
系列: FGD3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
零件号别名: FGD3040G2_F085
单位重量: 260.370 mg
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极zui大电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 23.2 A
Pd-功率耗散: 150 W
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 125 C
系列: FGD3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
零件号别名: FGD3040G2_F085
单位重量: 260.370 mg