STW70N60M2-4 MOSFET N

STW70N60M2-4

STW70N60M2-4

制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 68 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 118 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 450 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 值: -
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
系列: STW70N60M2-4
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 6 g
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 68 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 118 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 450 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 值: -
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
系列: STW70N60M2-4
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 6 g
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 68 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 118 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 450 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 值: -
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
系列: STW70N60M2-4
600
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 6 g