FGB3040G2-F085IGBT 晶体管

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: SC-70-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 41 A
Pd-功率耗散: 150 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGB3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流 Ic: 25.6 A
产品类型: IGBT Transistors
800
子类别: IGBTs
零件号别名: FGB3040G2_F085
单位重量: 1.312 g
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: SC-70-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 41 A
Pd-功率耗散: 150 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGB3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流 Ic: 25.6 A
产品类型: IGBT Transistors
800
子类别: IGBTs
零件号别名: FGB3040G2_F085
单位重量: 1.312 g
制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: SC-70-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极电压: 10 V
在25 C的连续集电极电流: 41 A
Pd-功率耗散: 150 W
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
系列: FGB3040G2_F085
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流 Ic: 25.6 A
产品类型: IGBT Transistors
800
子类别: IGBTs
零件号别名: FGB3040G2_F085
单位重量: 1.312 g
FGB3040G2-F085 

FGB3040G2-F085 

FGB3040G2-F085 

FGB3040G2-F085