PMV55ENEAR电源IC稳压IC

地区:广东 深圳
认证:

深圳市吉铭贸易有限公司

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制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.19 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: 934068714215

单位重量: 8 mg

制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.19 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: 934068714215
单位重量: 8 mg

制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.19 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: 934068714215
单位重量: 8 mg
PMV55ENEAR

PMV55ENEAR

PMV55ENEAR

PMV55ENEAR

型号/规格

VNQ830ETR-E

品牌/商标

FUJITSU(富士通)

封装

Reel

批号

PMV55ENEAR

产品种类

MOSFET

制造商

Nexperia