IPB180P04P4L-02集成电路

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 220 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 119 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
系列: OptiMOS-P2
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 146 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB18P4P4L2XT SP000709460 IPB180P04P4L02ATMA1

单位重量: 1.600 g

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 220 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 119 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
系列: OptiMOS-P2
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 146 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB18P4P4L2XT SP000709460 IPB180P04P4L02ATMA1
单位重量: 1.600 g
IPB180P04P4L-02

IPB180P04P4L-02

IPB180P04P4L-02

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