NSS12100XV6T1G双极晶体管

集电极—基极电压 VCBO: - 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: - 400 mV
max直流电集电极电流: 1 A
Pd-功率耗散: 500 mW
增益带宽产品fT: 100 MHz
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
系列: NSS12100XV6
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
技术: Si
宽度: 1.2 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: - 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
单位重量: 3 mg

NSS12100XV6T1G双极晶体管

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:  详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: - 12 V
集电极—基极电压 VCBO: - 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: - 400 mV
max直流电集电极电流: 1 A
Pd-功率耗散: 500 mW
增益带宽产品fT: 100 MHz
mini工作温度: - 55 C
max工作温度: + 150 C
系列: NSS12100XV6
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.55 mm
长度: 1.6 mm
技术: Si
宽度: 1.2 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: - 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 150
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
单位重量: 3 mg