IPI075N15N3G MOSFET原装

IPI075N15N3G MOSFET原装

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 2.387 g

IPI075N15N3G MOSFET原装

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 2.387 g

IPI075N15N3G MOSFET原装

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Tube
配置: Single
高度: 9.45 mm
长度: 10.2 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 2.387 g