NE722S01-T1射频结栅场效应晶体管

NE722S01-T1射频结栅场效应晶体管

制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
工作频率: 4 GHz
增益: 12 dB
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
封装: Cut Tape
封装: Reel
产品: RF JFET
类型: GaAs MESFET
商标: CEL
正向跨导 - mini值: 45 mS
NF—噪声系数: 0.9 dB
P1dB - 压缩点: 15 dBm
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors

NE722S01-T1射频结栅场效应晶体管

制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:  详细信息
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
工作频率: 4 GHz
增益: 12 dB
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
封装: Cut Tape
封装: Reel
产品: RF JFET
类型: GaAs MESFET
商标: CEL
正向跨导 - mini值: 45 mS
NF—噪声系数: 0.9 dB
P1dB - 压缩点: 15 dBm
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors

NE722S01-T1射频结栅场效应晶体管

制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:  详细信息
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
工作频率: 4 GHz
增益: 12 dB
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
封装: Cut Tape
封装: Reel
产品: RF JFET
类型: GaAs MESFET
商标: CEL
正向跨导 - mini值: 45 mS
NF—噪声系数: 0.9 dB
P1dB - 压缩点: 15 dBm
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors