IRFR13N20DTRPBF   产品信息：

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFR13N20DTRPBF
描述
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
一般信息
数据列表 IRF(R,U)13N20DPbF;
标准包装   2,000
包装   标准卷带 
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 IRFR13N20DPBFTR
IRFR13N20DTRPBF-ND
IRFR13N20DTRPBFTR-ND
SP001567488
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 235 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 38nC @ 10V
Vgs（值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 830pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

产品实图拍摄：

自营仓库：

公司介绍：

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