供应IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TO263-3 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

infineon  品牌介绍：

Infineon公司是十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在

德国慕尼黑。主要生产汽车和工业电子芯片、保密及IC卡应用IC、通讯多媒体芯片、存储器件等。1998年

Infineon公司是十大半导体制造商之一。

IPB042N10N3GATMA1   产品信息：

制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPB042N10N3GATMA1
描述
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
一般信息
数据列表 IPB042N10N3 G;
标准包装   1,000
包装   标准卷带 
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 OptiMOS™
其它名称 IPB042N10N3 G
IPB042N10N3 G-ND
IPB042N10N3 GTR-ND
IPB042N10N3G
IPB042N10N3GATMA1TR
SP000446880
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 4.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 117nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 8410pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（值） 214W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

产品实图拍摄：

公司介绍：

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