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产品属性
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产品信息:
一般信息
数据列表 IXT(A,P)110N055T2;
标准包装 50
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
系列 TrenchT2™
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(大 Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 6.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 57nC @ 10V
Vgs(大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 3060pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(大值) 180W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
产品实图拍摄:
自营仓库:
IXTP110N055T2
IXYS
TO-220-3
20+
供应CD4052BM96 TI 16-SOIC 集成电路(IC)
供应NCP1399ACDR2G 价格优势,支持实单
供应50TPS12 VISHAY TO-247
供应TLP781GB Toshiba DIP-4
模数转换器(ADC) Texas TLC0831IDR
供应MAX4240EUK+T运算放大器IC SOT-23-5缓冲器
供应MAX3232CSE+T MAXIM 集成电路(IC)工程一对一技术指导
74LVC4245APW Nexperia 逻辑器件 - 转换器,电平移位器
供应 原装现货KIA7039AP-AT/P KEC TO-92
供应CC2640R2FRGZR 原装现货,支持实单