IXFN55N50艾赛斯高压MOS管可控硅

苏州新杰邦电子技术有限公司：

代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商和经销商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！代理品牌：

1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；

2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；

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碳化硅（SiC）MOSFET支持功率电子电路以超快的开关速度和远超100V/ns和10A/ns的电压和电流摆率下工作。SiC MOSFET还具有非常出色的导通特性和高温特性。与传统的硅基功率半导体相比，SiC MOSFET具有非常低的器件工作损耗，可以实现高度紧凑且高效的功率转换器解决方案。
SiC MOSFET的开关性能不仅取决于器件本身的特性，在很大程度上还取决于器件的外部电路和工作条件。
SiC MOSFET的开关行为是十分复杂的话题。数据手册中所提供的数值，往往只能表示器件在非常具体的测试环境中、在若干特定条件下的性能。而在实际的电源电路条件下，器件的真实性能取决于很多因素。
开关行为和损耗
开关损耗和导通损耗是导致功率转换器半导体器件焦耳热的两大因素。尽管SiC MOSFET的导通损耗主要取决于器件本身的特性和工作条件（例如，栅极电压、负载电流和器件温度），但开关损耗有着更加明显也更加复杂的特性。
影响器件总开关损耗主要有三个因素：开通能量EON、关断能量Eoff和反向恢复能量Erec。其占比通常取决于器件的特性、操作条件和外部电路。除此之外，在开关过程中，还可能会出现其它的损耗，例如由寄生导通引起的损耗。

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型号/规格

IXFN55N50

品牌/商标

艾赛斯

封装形式

标准封装

环保类别

无铅环保型

安装方式

螺丝型

包装方式

盒带编带包装

功率特征

中功率

供应IXFN55N50艾赛斯高压MOS管可控硅