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碳化硅(SiC)MOSFET支持功率电子电路以超快的开关速度和远超100V/ns和10A/ns的电压和电流摆率下工作。SiC MOSFET还具有非常出色的导通特性和高温特性。与传统的硅基功率半导体相比,SiC MOSFET具有非常低的器件工作损耗,可以实现高度紧凑且高效的功率转换器解决方案。
SiC MOSFET的开关性能不仅取决于器件本身的特性,在很大程度上还取决于器件的外部电路和工作条件。
SiC MOSFET的开关行为是十分复杂的话题。数据手册中所提供的数值,往往只能表示器件在非常具体的测试环境中、在若干特定条件下的性能。而在实际的电源电路条件下,器件的真实性能取决于很多因素。
开关行为和损耗
开关损耗和导通损耗是导致功率转换器半导体器件焦耳热的两大因素。尽管SiC MOSFET的导通损耗主要取决于器件本身的特性和工作条件(例如,栅极电压、负载电流和器件温度),但开关损耗有着更加明显也更加复杂的特性。
影响器件总开关损耗主要有三个因素:开通能量EON、关断能量Eoff和反向恢复能量Erec。其占比通常取决于器件的特性、操作条件和外部电路。除此之外,在开关过程中,还可能会出现其它的损耗,例如由寄生导通引起的损耗。
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