MDD26-16N1B艾赛斯mos晶体管全新21+

苏州新杰邦电子技术有限公司：

代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商和经销商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！代理品牌：

1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；

2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；

3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板；

4、巴斯曼（BUSSMANN)，西门子，日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等；

愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。

品种齐全、价格优惠、欢迎咨询！

分析MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：
1：驱动频率过高。
2：G极驱动电压不够。
3：通过漏极和源极的Id电流太高。
因此测试重点放在MOS管上，准确测试它的工作状况，才是问题的根本。选择测试点如图：
Q1为功率开关MOS管，A点为漏极，B点为源极，R为电流取样电阻，C点为接地端。把双踪示波器的两个探头分别接到A和B点，两个探头接地端同时卡住电阻R的接地端C处。
MOS管漏极测试A点波形
而从B点的波形可以看出，MOS管的源极电压波形，这个波形是取样电阻R上的电压波形，能够反映出漏极电流极其导通和截止时间等信息。
可以看出，每个周期中，开关MOS管导通时，漏极电流从起始到峰值电流的过程。
MDD26-16N1B MDD26-16N1B MDD26-16N1B MDD26-16N1B

型号/规格

MDD26-16N1B

品牌/商标

艾赛斯

封装形式

标准封装

环保类别

无铅环保型

安装方式

螺丝型

包装方式

盒带编带包装

功率特征

中功率

供应MDD26-16N1B艾赛斯mos晶体管全新21+