IXTN30N100L艾赛斯mos管开关二极管

苏州新杰邦电子技术有限公司：

代理功率半导体产品及配套器件，IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时与多家电力电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（富士、三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的诚信代理商和经销商。通过多年的实战经验，公司积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供技术支持！代理品牌：

1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；

2、富士、三菱、英飞凌、西门康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；

3、CONCEPT、IDC驱动片及驱动板；

4、巴斯曼（BUSSMANN)，西门子，日之出等品牌熔断器、底座、熔芯等；

愿为广大客户提供优良的产品、满意的服务。

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现在的MOS驱动，有几个特别的需求：
1. 低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be只有0.7V左右的压降，导致实际加载gate上的电压只有4.3V，这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
2. 宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
3. 双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
IXTN30N100L IXTN30N100L IXTN30N100L IXTN30N100L

型号/规格

IXTN30N100L

品牌/商标

艾赛斯

封装形式

标准封装

环保类别

无铅环保型

安装方式

螺丝型

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率

供应IXTN30N100L艾赛斯mos管开关二极管