IGBT模块 FF200R12KT3 英飞凌半导体材料

苏州新杰邦电子主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔；英国西玛，西班牙CATELEC，ABB等公司生产的igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔；英国西玛，西班牙CATELEC，ABB等公司生产的igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器