BSM150GB170DN2 IGBT模块 英飞凌

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苏州新杰邦电子主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔;英国西玛,西班牙CATELEC,ABB等公司生产的igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器


IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;
IGBT是能源变换与传输器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广
BSM150GB170DN2 BSM150GB170DN2 BSM150GB170DN2 BSM150GB170DN2

主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔;英国西玛,西班牙CATELEC,ABB等公司生产的igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器

型号/规格

BSM150GB170DN2

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

集电极 - 发射极电压

1700V

集电极 - 栅极电压

1700V

栅极 - 发射极电压

± 20V

DC集电极电流

220A 150A

集电极电流脉冲

440A 300A

IGBT功率耗散

1250W

芯片的温度

+ 150°C

储存温度

-55 ... + 150°C

绝缘测试电压

4000VAC

系列

BSM