供应2MBI200U4B-120富士可控硅 IGBT模块

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代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、

不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业形象,同时与多家电力

电子企业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系,也是众多电子厂商(富士、三菱、英飞

凌、西门康,艾塞斯,尼尔,ABB,西玛,三社、宏微等)的诚信代理商。通过多年的实战经

验,公司积累了坚实的功率半导体应用知识,为电力拖动、风力发电、电焊机、电力机车等行

业提供完善的解决方案,为客户提供技术支持!主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克

SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、

POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔;英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的IGBT、

可控硅、整流桥、二极管、;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰

(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器等。






可控硅的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第壹阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。

此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。

单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。 双向可控硅第壹阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第壹阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当第壹阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。

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型号/规格

2MBI200U4B-120

品牌/商标

FUJI富士

封装

标准封装

安装方式

螺丝安装

电压V

1200

电流A

200