供应AIMW120R060M1HXKSA1 MOSFET

地区：广东深圳

认证：无

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AIMW120R060M1HXKSA1

制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	SiC
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	36 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, %2B 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	31 nC
zui小工作温度:	- 55 C
zui大工作温度:	%2B 175 C
Pd-功率耗散:	150 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
产品类型:	MOSFET
	240
子类别:	MOSFETs
零件号别名:	AIMW120R060M1H SP005417583

企业介绍

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主要涉及的品牌:

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RICHTEK/立锜 SILICON/芯科 TOSHIBA/东芝 HOLTEK/合泰 ALTERA/阿尔特拉 CYPRESS/赛普拉斯 TE/泰科 VISHAY/威世 MOLEX/莫仕 MAXIM/美信等600%2B个世界zhi名品牌。

型号/规格

AIMW120R060M1HXKSA1

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

封装

BGA

批号