供应IMBG120R090M1H MOSFET

地区：广东深圳

认证：无

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产品属性
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IMBG120R090M1H

制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	SiC
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-TO263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	26 A
Rds On-漏源导通电阻:	125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, %2B 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.7 V
Qg-栅极电荷:	23 nC
zui小工作温度:	- 55 C
zui大工作温度:	%2B 175 C
Pd-功率耗散:	136 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
系列:	Trenchstop IGBT High Speed 3
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - zui小值:	4.7 S
产品类型:	MOSFET
上升时间:	3.1 ns
	1000
子类别:	MOSFETs
典型关闭延迟时间:	18 ns
典型接通延迟时间:	7.9 ns
零件号别名:	IMBG120R090M1H SP00446378

企业介绍

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主要涉及的品牌:

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RICHTEK/立锜 SILICON/芯科 TOSHIBA/东芝 HOLTEK/合泰 ALTERA/阿尔特拉 CYPRESS/赛普拉斯 TE/泰科 VISHAY/威世 MOLEX/莫仕 MAXIM/美信等600%2B个世界zhi名品牌。

型号/规格

IMBG120R090M1H

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

封装

TO263-7

批号