供应NGTB40N120FL2WG IGBT 晶体管

地区：广东深圳

认证：无

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NGTB40N120FL2WG

制造商:	onsemi
产品种类:	IGBT 晶体管
RoHS:	详细信息
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2 V
栅极/发射极zui大电压:	- 20 V, %2B 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	535 W
zui小工作温度:	- 55 C
zui大工作温度:	%2B 175 C
系列:	NGTB40N120FL2
封装:	Tube
商标:	onsemi
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBT Transistors
	30
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.500 g

企业介绍

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主要涉及的品牌:

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RICHTEK/立锜 SILICON/芯科 TOSHIBA/东芝 HOLTEK/合泰 ALTERA/阿尔特拉 CYPRESS/赛普拉斯 TE/泰科 VISHAY/威世 MOLEX/莫仕 MAXIM/美信等600%2B个世界zhi名品牌。

型号/规格

NGTB40N120FL2WG

品牌/商标

ON/安森美

封装

TO-247

批号