DMN5L06K-7 MOSFET DIODES/美台

DMN5L06K-7

DMN5L06K-7

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 490 mV
最小工作温度: - 65 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN5L06
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 200 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 8 mg

DMN5L06K-7 DMN5L06K-7
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