0805 475K 25V X7R 10%

温度范围：-55℃～+125℃

三星贴片电容器的结构和材料特性，其实贴片电容器的结构相似，表现的不同点在于电容值和功率方面，以下的小编向你说明电容器结构和材料特性。

（1）三星贴片电容器结构：从下图可以看出，贴片电容器主要由陶瓷介质、内电极、端电极sn焊层、端电极ni势垒层、端电极底层组成。

（2）三星贴片电容材料特性：

Ⅰ类介质电容器(NP0 温度补偿型)：

COG电气性能参数稳定,随温度,电压,时间的变化率很小,适合使用在对稳定性要求较高的高频电路中，如谐振电路。采用特殊结构设计可以获得较低的ESR.其高”Q”值产品的Q值可以达到1000以上.

C0G—使用温度范围在-55~+125℃，容量变化范围为0±30ppm/℃.

1类瓷的EIA标志代码(-55℃～125℃)

Ⅱ类介质电容器：

X7R(X5R):电气性能参数较稳定,随温度的变化其性能变化不很显著。X7R属高K值电介质,可生产较高容量的电容器.适用于隔直,耦合,旁路的电路中(X5R:-55，85，C%±15%)。

Y5V:电气性能参数的稳定性较差,但可生产出更高容量的电容器。适用于去偶电路和滤波电路。

2类瓷的EIA标志代码

三星贴片电容器的结构和材料特性，其实贴片电容器的结构相似，表现的不同点在于电容值和功率方面，以下的小编向你说明电容器结构和材料特性。

（1）三星贴片电容器结构：从下图可以看出，贴片电容器主要由陶瓷介质、内电极、端电极sn焊层、端电极ni势垒层、端电极底层组成。

（2）三星贴片电容材料特性：

Ⅰ类介质电容器(NP0 温度补偿型)：

COG电气性能参数稳定,随温度,电压,时间的变化率很小,适合使用在对稳定性要求较高的高频电路中，如谐振电路。采用特殊结构设计可以获得较低的ESR.其高”Q”值产品的Q值可以达到1000以上.

C0G—使用温度范围在-55~+125℃，容量变化范围为0±30ppm/℃.

1类瓷的EIA标志代码(-55℃～125℃)

Ⅱ类介质电容器：

X7R(X5R):电气性能参数较稳定,随温度的变化其性能变化不很显著。X7R属高K值电介质,可生产较高容量的电容器.适用于隔直,耦合,旁路的电路中(X5R:-55，85，C%±15%)。

Y5V:电气性能参数的稳定性较差,但可生产出更高容量的电容器。适用于去偶电路和滤波电路。

2类瓷的EIA标志代码