单个 Toshiba XPN9R614MC,L1XHQ

单个  Toshiba  XPN9R614MC,L1XHQ 

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商产品编号

XPN9R614MC,L1XHQ

单个  Toshiba  XPN9R614MC,L1XHQ  

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）9.6 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）2.1V @ 500μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）64 nC @ 10 V

Vgs（大值）+10V，-20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）3000 pF @ 10 V

FET 功能-

功率耗散（大值）840mW（Ta），100W（Tc）

工作温度175°C

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-TSON Advance-WF（3.1x3.1）

封装/外壳8-PowerVDFN

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