DGD2101MS8-13 Diodes 栅极驱动器

DGD2101MS8-13  Diodes   栅极驱动器

制造商

Diodes Incorporated

制造商产品编号

DGD2101MS8-13

DGD2101MS8-13  Diodes   栅极驱动器 

包装卷带（TR）

零件状态在售

驱动配置高压侧或低压侧

通道类型独立式

驱动器数2

栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET

电压 - 供电10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL，VIH0.8V，2.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）290mA，600mA

输入类型非反相

高压侧电压 - 大值（自举）600 V

上升/下降时间（典型值）70ns，35ns

工作温度-40°C ~ 125°C（TA）

安装类型表面贴装型

封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装8-SO

 DGD2101MS8-13  Diodes   栅极驱动器

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