STGD6M65DF2 STMicroelectronics 单

地区:广东 深圳
认证:

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STGD6M65DF2  STMicroelectronics  单

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STGD6M65DF2

STGD6M65DF2  STMicroelectronics  单 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售

IGBT 类型沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(大值)650 V

电流 - 集电极 (Ic)(大值)12 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)24 A

不同 VgeIc Vce(on)(大值)2V @ 15V6A

功率 - 大值88 W

开关能量36μJ(开),200μJ(关)

输入类型标准

栅极电荷21.2 nC

25°C Td(开/关)值15ns/90ns

测试条件400V6A22 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)140 ns

工作温度-55°C ~ 175°CTJ

安装类型表面贴装型

封装/外壳TO-252-3DPak2 引线 + 接片),SC-63

供应商器件封装DPAK

STGD6M65DF2  STMicroelectronics  单

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型号/规格

STGD6M65DF2

品牌/商标

STMicroelectronics

封装

TO-252-3

批号

2021+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C