SI1034CX-T1-GE3 Vishay 晶体管

SI1034CX-T1-GE3  Vishay   晶体管 

制造商编号：

SI1034CX-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

SI1034CX-T1-GE3  Vishay   晶体管 

安装风格:      SMD/SMT     

封装 / 箱体:  SC-89-6

晶体管极性:   N-Channel   

通道数量:      2 Channel     

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  610 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 396 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压:  - 8 V, + 8 V  

Vgs th-栅源极阈值电压:      400 mV 

Qg-栅极电荷:       1.3 nC   

小工作温度:   - 55 C   

大工作温度:   + 150 C 

Pd-功率耗散: 220 mW

通道模式:      Enhancement

商标名:   TrenchFET     

封装:      Reel

封装:      Cut Tape

封装:      MouseReel    

商标:      Vishay Semiconductors

配置:      Dual

下降时间:      11 ns     

正向跨导 - 小值: 7.5 S      

高度:      0.6 mm  

长度:      1.66 mm

产品类型:      MOSFET

上升时间:      16 ns     

系列:      SI1  

工厂包装数量:      3000      

子类别:   MOSFETs      

晶体管类型:   2 N-Channel 

典型关闭延迟时间:      26 ns     

典型接通延迟时间:      11 ns     

宽度:      1.2 mm  

单位重量:      32 mg

SI1034CX-T1-GE3  Vishay   晶体管 

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