NVR5198NLT1G onsemi 单个

地区:广东 深圳
认证:

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NVR5198NLT1G  onsemi  单个

制造商

onsemi

制造商产品编号

NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G  onsemi  单个 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7ATa

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)155 毫欧 @ 1A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)5.1 nC @ 10 V

Vgs(大值)±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)182 pF @ 25 V

FET 功能-

功率耗散(大值)900mWTa

工作温度-55°C ~ 150°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3TO-236

封装/外壳TO-236-3SC-59SOT-23-3

NVR5198NLT1G  onsemi  单个

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型号/规格

NVR5198NLT1G

品牌/商标

onsemi

封装

TO-236-3

批号

2021+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C