晶体管 Diodes DMP10H400SEQ-13

晶体管  Diodes  DMP10H400SEQ-13

制造商

Diodes Incorporated

制造商产品编号

DMP10H400SEQ-13

晶体管  Diodes  DMP10H400SEQ-13 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.3A（Ta），6A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）250 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3V @ 250μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）2W（Ta），13.7W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-223-3

封装/外壳TO-261-4，TO-261AA

漏源电压（Vdss）100 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）17.5 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1239 pF @ 25 V

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