SI2302CDS-T1-E3 Vishay 单个

地区:广东 深圳
认证:

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SI2302CDS-T1-E3  Vishay  单个

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3  Vishay  单个 

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6ATa

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On2.5V4.5V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)57 毫欧 @ 3.6A4.5V

不同 Id Vgs(th)(大值)850mV @ 250μA

Vgs(大值)±8V

FET 功能-

功率耗散(大值)710mWTa

工作温度-55°C ~ 150°CTJ

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3TO-236

封装/外壳TO-236-3SC-59SOT-23-3

漏源电压(Vdss20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)5.5 nC @ 4.5 V

SI2302CDS-T1-E3  Vishay  单个

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型号/规格

SI2302CDS-T1-E3

品牌/商标

Vishay

封装

TO-236-3

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C