SI2302CDS-T1-E3 Vishay 单个

SI2302CDS-T1-E3  Vishay  单个

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3  Vishay  单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.6A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）57 毫欧 @ 3.6A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）850mV @ 250μA

Vgs（大值）±8V

FET 功能-

功率耗散（大值）710mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

漏源电压（Vdss）20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）5.5 nC @ 4.5 V

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