FDY302NZ ON Semiconductor 单个

FDY302NZ  ON Semiconductor 单个

制造商

ON Semiconductor

制造商产品编号

FDY302NZ

FDY302NZ  ON Semiconductor 单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)600mA（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）300 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1.5V @ 250μA

Vgs（大值）±12V

FET 功能-

功率耗散（大值）625mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SC-89-3

封装/外壳SC-89，SOT-490

漏源电压（Vdss）20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）1.1 nC @ 4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）60 pF @ 10 V

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