STMicroelectronics STB28N65M2

STMicroelectronics  STB28N65M2

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STB28N65M2

STMicroelectronics  STB28N65M2 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）180 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4V @ 250μA

Vgs（大值）±25V

FET 功能-

功率耗散（大值）170W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装D2PAK

封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

漏源电压（Vdss）650 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）35 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1440 pF @ 100 V

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