单个 Infineon IPS70R950CEAKMA1

单个  Infineon   IPS70R950CEAKMA1

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPS70R950CEAKMA1

单个  Infineon   IPS70R950CEAKMA1 

包装散装

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.4A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）950 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3.5V @ 150μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能超级结

功率耗散（大值）68W（Tc）

工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装PG-TO251

封装/外壳TO-251-3 短截引线，IPak

漏源电压（Vdss）700 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）15.3 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）328 pF @ 100 V

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