ALD114935PAL Advanced 阵列

地区:广东 深圳
认证:

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ALD114935PAL  Advanced  阵列

制造商

Advanced Linear Devices Inc.

制造商产品编号

ALD114935PAL

ALD114935PAL  Advanced  阵列 

包装管件

零件状态在售

FET 类型2 N 沟道(双)配对

FET 功能耗尽模式

漏源电压(Vdss10.6V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12mA3mA

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)540 欧姆 @ 0V

不同 Id Vgs(th)(大值)3.45V @ 1μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)2.5pF @ 5V

功率 - 大值500mW

工作温度0°C ~ 70°CTJ

安装类型通孔

封装/外壳8-DIP0.300"7.62mm

供应商器件封装8-PDIP

ALD114935PAL  Advanced  阵列

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型号/规格

ALD114935PAL

品牌/商标

Advanced

封装

8-DIP

批号

2020+

最小工作温度

0°C

最大工作温度

70°C