ALD114935PAL Advanced 阵列

ALD114935PAL  Advanced  阵列

制造商

Advanced Linear Devices Inc.

制造商产品编号

ALD114935PAL

ALD114935PAL  Advanced  阵列 

包装管件

零件状态在售

FET 类型2 N 沟道（双）配对

FET 功能耗尽模式

漏源电压（Vdss）10.6V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12mA，3mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）540 欧姆 @ 0V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）3.45V @ 1μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）-

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）2.5pF @ 5V

功率 - 大值500mW

工作温度0°C ~ 70°C（TJ）

安装类型通孔

封装/外壳8-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装8-PDIP

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