IMBG120R030M1HXTMA1 单个

IMBG120R030M1HXTMA1  单个

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1  单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术SiC（碳化硅结晶体管）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）41 毫欧 @ 25A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5.7V @ 11.5mA

Vgs（大值）+18V，-15V

FET 功能标准

功率耗散（大值）300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-TO263-7-12

封装/外壳TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA

漏源电压（Vdss）1.2 kV

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）63 nC @ 18 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）2.29 nF @ 800 V

IMBG120R030M1HXTMA1  单个

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