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产品属性
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DMP45H4D9HK3-13 Diodes 单个
制造商
Diodes Incorporated
制造商产品编号
DMP45H4D9HK3-13
DMP45H4D9HK3-13 Diodes 单个
包装卷带(TR)
零件状态在售
FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.7A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)4.9 欧姆 @ 1.05A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)5V @ 250μA
Vgs(大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(大值)104W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装TO-252,(D-Pak)
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
漏源电压(Vdss)450 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)13.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)564 pF @ 25 VDMP45H4D9HK3-13 Diodes 单个
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DMP45H4D9HK3-13
Diodes
TO-252-3
2021+
-55°C
150°C