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产品属性
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WPH4003-1E ON Semiconductor
制造商
ON Semiconductor
制造商产品编号
WPH4003-1E
包装管件
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.5A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds
On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)10.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)-
Vgs(大值)±30V
FET 功能-
功率耗散(大值)3W(Ta),55W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3PF
封装/外壳TO-3P-3 整包
漏源电压(Vdss)1700 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)48 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)850 pF @ 30 V
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WPH4003-1E
ON Semiconductor
TO-3P-3
2020+
150°C