IPB048N15N5ATMA1 Infineon 单个

IPB048N15N5ATMA1  Infineon  单个

制造商

Infineon Technologies

制造商产品编号

IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1  Infineon  单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）4.8 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）4.6V @ 264μA

Vgs（大值）±20V

FET 功能-

功率耗散（大值）300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装PG-TO263-3

封装/外壳TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

漏源电压（Vdss）150 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）100 nC @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）7800 pF @ 75 V

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