CSD22205LT Texas 单个

CSD22205LT  Texas    单个

制造商

Texas Instruments

制造商产品编号

CSD22205LT

CSD22205LT  Texas    单个 

包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®

零件状态在售

FET 类型P 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.4A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）9.9 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1.05V @ 250μA

Vgs（大值）-6V

FET 功能-

功率耗散（大值）600mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装4-PICOSTAR

封装/外壳4-XFLGA

漏源电压（Vdss）8 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）8.5 nC @ 4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1390 pF @ 4 V

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