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产品属性
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阵列 Vishay SQJ560EP-T1_GE3
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SQJ560EP-T1_GE3
阵列 Vishay SQJ560EP-T1_GE3
包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel®
零件状态有源
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A (Tc),18A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)12 毫欧 @ 10A,10V,52.6 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)30nC @ 10V,45nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1650pF @ 25V
功率 - 大值34W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装PowerPAK® SO-8 双
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SQJ560EP-T1_GE3
Vishay
PowerPAK
2020+
-55°C
175°C