阵列 Vishay SQJ560EP-T1_GE3

地区:广东 深圳
认证:

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阵列  Vishay   SQJ560EP-T1_GE3

制造商

Vishay Siliconix

制造商产品编号

SQJ560EP-T1_GE3

 阵列  Vishay   SQJ560EP-T1_GE3

包装卷带(TR)剪切带(CTDigi-Reel®

零件状态有源

FET 类型N P 沟道

FET 功能标准

漏源电压(Vdss60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A (Tc)18A (Tc)

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)12 毫欧 @ 10A10V52.6 毫欧 @ 10A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)30nC @ 10V45nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)1650pF @ 25V

功率 - 大值34WTc

工作温度-55°C ~ 175°CTJ

安装类型表面贴装型

封装/外壳PowerPAK® SO-8

供应商器件封装PowerPAK® SO-8

阵列  Vishay   SQJ560EP-T1_GE3

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型号/规格

SQJ560EP-T1_GE3

品牌/商标

Vishay

封装

PowerPAK

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

175°C