STW48N60DM2 STMicroelectronics

STW48N60DM2  STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

制造商产品编号

STW48N60DM2

STW48N60DM2  STMicroelectronics 

零件状态在售

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）79 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）70 nC @ 10 V

Vgs（大值）±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）3250 pF @ 100 V

FET 功能-

功率耗散（大值）300W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-3

封装/外壳TO-247-3

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