ON Semiconductor NCV5183DR2G

ON Semiconductor  NCV5183DR2G  

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NCV5183DR2G

 ON Semiconductor  NCV5183DR2G  

驱动配置       半桥

通道类型       独立式

驱动器数       2

栅极类型       N 沟道 MOSFET

电压 - 供电  9V ~ 18V

逻辑电压 - VIL，VIH   1.2V，2.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）     4.3A，4.3A

输入类型       非反相

高压侧电压 - 大值（自举）  600V

上升/下降时间（典型值）  12ns，12ns

工作温度       -40°C ~ 125°C （TJ）

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装    8-SOIC

产品图：

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