NTD3055L170T4G ON Semiconductor

NTD3055L170T4G  ON Semiconductor

制造商   

ON Semiconductor

制造商零件编号   

NTD3055L170T4G

 NTD3055L170T4G  ON Semiconductor

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    9A（Ta）

驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）      5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      170 毫欧 @ 4.5A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    10nC @ 5V

Vgs（大值）     ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  275pF @ 25V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    1.5W（Ta），28.5W（Tj）

工作温度       -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    DPAK

封装/外壳      TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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