FDS6690A ON Semiconductor

地区:广东 深圳
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FDS6690A  ON Semiconductor

制造商  

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FDS6690A

 FDS6690A  ON Semiconductor

FET 类型       N 通道

技术       MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    11ATa

驱动电压(大 Rds On,最小 Rds On      4.5V10V

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      12.5 毫欧 @ 11A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    16nC @ 5V

Vgs(大值)     ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1205pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散(大值)    2.5WTa

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-SOIC

封装/外壳      8-SOIC0.154"3.90mm 宽)

FDS6690A  ON Semiconductor

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型号/规格

FDS6690A

品牌/商标

ON Semiconductor

封装

8-SOIC

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C