MOSFET - 单个 FDS6679AZ

MOSFET - 单个  FDS6679AZ

制造商  

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FDS6679AZ

 MOSFET - 单个  FDS6679AZ

FET 类型       P 通道

技术       MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    13A（Ta）

驱动电压大 Rds On，最小 Rds On）      4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）      9.3 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值）  3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）    96nC @ 10V

Vgs（大值）     ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）  3845pF @ 15V

FET 功能       -

功率耗散（大值）    2.5W（Ta）

工作温度       -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型       表面贴装型

供应商器件封装    8-SOIC

封装/外壳      8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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