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产品属性
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FDS6912A MOSFET - 阵列
制造商
ON Semiconductor
制造商零件编号
FDS6912A
FDS6912A MOSFET - 阵列
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值) 28 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 8.1nC
@ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值) 575pF
@ 15V
功率 - 大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
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FDS6912A
ON
8-SOIC
2020+
55°C
150°C