FDS6912A MOSFET - 阵列

地区:广东 深圳
认证:

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FDS6912A   MOSFET - 阵列

制造商  

ON Semiconductor

制造商零件编号 

FDS6912A

 FDS6912A   MOSFET - 阵列

FET 类型      2 N-通道(双)

FET 功能      逻辑电平门

漏源电压(Vdss     30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  6A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)  28 毫欧 @ 6A10V

不同 Id Vgs(th)(大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值) 8.1nC @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)      575pF @ 15V

功率 - 大值    900mW

工作温度      -55°C ~ 150°CTJ

安装类型      表面贴装型

封装/外壳     8-SOIC0.154"3.90mm 宽)

供应商器件封装  8-SOIC

FDS6912A   MOSFET - 阵列

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型号/规格

FDS6912A

品牌/商标

ON

封装

8-SOIC

批号

2020+

最小工作温度

55°C

最大工作温度

150°C