阵列 Vishay SI4618DY-T1-GE3

地区:广东 深圳
认证:

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阵列  Vishay   SI4618DY-T1-GE3

制造商   

Vishay Siliconix

制造商零件编号   

SI4618DY-T1-GE3

阵列  Vishay   SI4618DY-T1-GE3 

FET 类型       2 N 通道(半桥)

FET 功能       标准

漏源电压(Vdss       30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)    8A15.2A

不同 IdVgs 时导通电阻(大值)      17 毫欧 @ 8A10V

不同 Id Vgs(th)(大值)  2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)    44nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)  1535pF @ 15V

功率 - 大值     1.98W4.16W

工作温度       -55°C ~ 150°CTJ

安装类型       表面贴装型

封装/外壳      8-SOIC0.154"3.90mm 宽)

供应商器件封装    8-SO

阵列  Vishay   SI4618DY-T1-GE3

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型号/规格

SI4618DY-T1-GE3

品牌/商标

Vishay

封装

8-SO

批号

2020+

最小工作温度

-55°C

最大工作温度

150°C