NAND闪存：K9HCG08U1M-PIB0

NAND闪存：K9HCG08U1M-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
长度：18.4毫米
封装 / 箱体:FBGA-1152

NAND闪存：K9HCG08U1M-PIB0功能特征：
•电源电压：2.7 V〜3.6 V
•组织
  -存储单元阵列：（2G + 64M）x 8位
  -数据寄存器：（4K + 128）x 8位
•自动编程和擦除
  -页面程序：（4K + 128）Byte
  -块擦除：（512K + 16K）Byte
•页面读取操作
  -页面大小：（4K + 128）Byte
  -随机读取：60μs（最大）
  -串行访问：25ns（最小）
  * K9XDG08U5M：50ns（最小）
•存储器单元：2bit /存储器单元
•快速的写入周期时间
  -编程时间：800μs（典型值）
  -块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
  -电源转换期间的编程/擦除锁定

•可靠的CMOS浮栅技术
  -续航能力：待定（具有4bit / 512byte ECC）
  -资料保留时间：10年
•命令寄存器操作
•版权保护的唯一ID
•包装：
  -K9LBG08U0M-PCB0 / PIB0：无铅封装
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
  -K9HCG08U1M-PCB0 / PIB0：无铅封装
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
  -K9HCG08U1M-ICB0 / IIB0
  52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
  -K9MDG08U5M-PCB0 / PIB0：两个K9HCG08U1M封装堆叠
  48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）：无铅封装
  -K9MDG08U5M-ZCB0 / ZIB0：两个K9HCG08U1M封装堆叠
  48-引脚WELP（12 x 20 / 0.5 mm间距）：无铅封装
  -K9PDG08U5M-LCB0 / LIB0：铅/无卤素包装
  52-LLGA引脚（14 x 18 / 1.00 mm间距）

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