NAND闪存：K9F4G08U0E-SIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSOP
电源：3/3.3 V
最大压摆率：0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
NAND闪存：K9F4G08U0E-SIB0功能摘要：
•电压供应
-2.70V〜3.60V
•组织
-存储单元阵列：（1G + 32M）x 8位
-数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
-页面程序：（2K + 64）Byte
-块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
-页面大小：（2K + 64）Byte
-随机读取：25μs（最大值）
-串行访问：25ns（最小）
* K9NBG08U5A：50ns（最小）
1G x 8位/ 2G x 8位/ 4G x 8位NAND闪存
•快速的写入周期时间
-页面编程时间：200μs（典型值）
-块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
-电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
-资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•版权保护的唯一ID
•包装：
-K9K8G08U0A-PCB0 / PIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1A-PCB0 / PIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
-K9WAG08U1A-ICB0 / IIB0
52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
-K9NBG08U5A-PCB0 / PIB0
48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
NAND闪存：产品列表：
NAND闪存：推荐工作条件：
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